Спецификация памяти Hybrid Memory Cube 15 кратный прирост скорости
Организация HMC (Hybrid Memory Cube Consortium) анонсировала доступность финальной версии спецификации памяти Hybrid Memory Cube. В состав консорциума входят около 100 технологических компаний, в том числе Micron и Samsung.
Напомним, этот тип памяти предусматривает размещение нескольких слоев энергозависимой памяти поверх DRAM контроллера. При этом, соединение памяти и контроллера осуществляется на базе технологии VIA (Vertical Interconnect Access). Этот метод подразумевает размещение электрических соединений вертикально внутри кремниевой подложки. Такая компоновка обладает определенными преимуществами по сравнению с традиционным подходом формирования подсистемы памяти. Например, она обеспечивает прирост скоростных показателей работы памяти и снижение уровня энергопотребления.
Первая версия спецификации памяти Hybrid Memory Cube предусматривает использование модулей емкостью 2 и 4 ГБ. При этом, скорость передачи данных в обоих направлениях заявлена на уровне 160 ГБ/с. Для сравнения, современные модули оперативной памяти стандарта DDR3 обеспечивают скорость передачи данных 11 ГБ/с, а память стандарта DDR4 - от 18 ГБ/с до 20 ГБ/с. Таким образом, память Hybrid Memory Cube обеспечивает, приблизительно, 15-кратный прирост производительности по сравнению с распространенными в настоящее время решениями. Дополнительно отмечается, что новая память позволяет снизить уровень энергопотребления на 70% по сравнению с современными модулями оперативной памяти. Это достигается благодаря отказу от использования многих длинных соединений отдельных чипов памяти. В настоящее время отдельные чипы соединяются благодаря сложной разводке на печатной плате. В памяти Hybrid Memory Cube для этого используются вертикальные соединения внутри самих чипов.
В спецификации Hybrid Memory Cube определено два физических интерфейса взаимодействия памяти с системным процессором: короткой дистанции и ультра-короткой дистанции. Интерфейс короткой дистанции схож с современными технологиями расположения модулей памяти на материнской плате. Он подразумевает размещение памяти на удалении 8-10 дюймов (203,2-254,0 мм) от процессора. При этом скорость передачи данных для каждого контакта предусмотрена в диапазоне от 15 Гб/с до 28 Гб/с. Данный интерфейс ориентирован на применение в производительных сетевых решениях и позволяет добиться высокой пропускной способности подсистемы памяти. Интерфейс ультра-короткой дистанции является энергоэффективным решением. В данном случае расстояние от процессора до памяти может составлять от 1 дюйма (25,4 мм) до 3 дюймов (76,2 мм), а целевая скорость передачи данных для каждого контакта составляет 15 Гб/с. Этот интерфейс будет востребован в тех решениях, где приоритетными являются низкое энергопотребление и компактные размеры конечных устройств. Выпуск памяти Hybrid Memory Cube с интерфейсом короткой дистанции запланирован на вторую половину этого года, а памяти с интерфейсом ультра-короткой дистанции - на 2014 год.
Удаленно, обновление, прав доступа, обновление базы, обслуживание, автоматизация, техподдержка, запуск, выгрузка аналитиком комплексной 1 c 8 2, 2008 остатков товара, предприятия, диалогов, конфигураций торговли, реквизитов форм, видеокурсов, офиса, модернизаций, чисел в орле, мурманске, чите, кирове, калининграде, тамбове, ломоносовский, царицыно, крюково, братеево, марьина роща, нагорный, свао. Кустанайская, каспийская, образцова, одоевского, розы люксембург, вольская, пятьдесят лет октября, чаплыгина, иваньковское, очаковская, лучников, большой козихинский, холодильный, лонгиновская, карьерная, камчатская, магистральная, твардовского, текстильщиков проспект. Сколько стоит очистить, выразить, вывести, купить, списать материалы, когда подвисает пустая 1с 11, 8.2.20, web, прайс лист, платежка на м выставочный центр, международная, отрадное, площадь ильича, октябрьская, преображенская площадь, рязанский проспект в реутове, климовске, верее, павловском посаде, домодедово, жуковском, дмитрове, щербинке когда не сохраняется 1 с 10, 8.